您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IPB054N06N3GATMA1 vs IRF6648TRPBF

IPB054N06N3GATMA1备选型号: IRF6648TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPB054N06N3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin TO-263 T/R
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    80A Tc
    4V @ 58μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    115W
    DRAIN
    24 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.4m Ω @ 80A, 10V
    无卤素
    6600pF @ 30V
    82nC @ 10V
    68ns
    ±20V
    9 ns
    80A
    20V
    60V
    0.0057Ohm
    77 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6648TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MN
    5
    SILICON
    1
    4.9V @ 150μA
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    e1
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    BOTTOM
    -
    -
    -
    R-XBCC-N3
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7m Ω @ 17A, 10V
    -
    2120pF @ 25V
    50nC @ 10V
    29ns
    ±20V
    13 ns
    86mA
    20V
    -
    0.007Ohm
    47 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    60V
    86A
    4V
    60V
    260A
    5.05mm
    5.45mm
    508μm
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPD048N06L3GBTMA1 IPD048N06L3GBTMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R 对比
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8 对比
FDMS030N06B FDMS030N06B ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin Power 56 ON Semiconductor FDMS030N06B 对比