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IPB093N04LGATMA1备选型号: FDB7030BL
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 触点镀层
- 质量
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-263表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB4SILICON50A Tc2V @ 16μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2007e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99哑光锡逻辑电平兼容SINGLE鸥翼26040R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET47WDRAINN-ChannelSWITCHING9.3m Ω @ 50A, 10V2100pF @ 20V28nC @ 10V40V±20V50A20V46A0.0093Ohm40V符合RoHS标准----------------
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON13V @ 250μA-65°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2003e3yesLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)1 (Unlimited)2EAR99-逻辑电平兼容-鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2不合格-增强型MOSFET60WDRAINN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 30A, 10V1760pF @ 15V24nC @ 5V-±20V60A20V---ROHS3 CompliantTin1.31247g9MOhm30V60ASingle12 ns12ns19 ns1.9V30V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB8876 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK | 对比 |
| IPB70N04S406ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2 | 对比 |
| FDB8453LZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 16.1A TO-263AB | 对比 |
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