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IPB100N06S205ATMA4备选型号: IPB120N04S404ATMA1
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- 晶体管元件材料
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-310 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON100A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2004yes活跃1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel4.7m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA无卤素5110pF @ 25V170nC @ 10V±20V100A55V0.0047Ohm400A810 mJROHS3 Compliant无铅- MOSFET N-CH TO263-316 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2013yes活跃1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼未说明-未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel3.6m Ω @ 100A, 10V4V @ 40μA无卤素4100pF @ 25V55nC @ 10V±20V120A40V0.0036Ohm480A75 mJROHS3 Compliant含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFS3306TRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 160A D2PAK | 对比 |
| IPB80N06S2LH5ATMA4 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | 对比 |
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