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首页 全部分类 IPB100N06S3-04 vs FDB8441

IPB100N06S3-04备选型号: FDB8441

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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 质量
  • 无铅代码
  • 终端
  • 电阻
  • Reach合规守则
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 反向恢复时间
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPB100N06S3-04
    Infineon Technologies
    MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 100A
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2007
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    哑光锡
    55V
    鸥翼
    260
    100A
    40
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    214W
    DRAIN
    N-Channel
    4.1m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 150μA
    14230pF @ 25V
    314nC @ 10V
    62ns
    ±20V
    62 ns
    100A
    20V
    55V
    400A
    450 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDB8441
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    SILICON
    28A Ta 120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    40V
    鸥翼
    未说明
    80A
    未说明
    -
    -
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    N-Channel
    2.5m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    15000pF @ 25V
    280nC @ 10V
    24ns
    ±20V
    17.9 ns
    28A
    20V
    40V
    -
    947 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    2
    1.31247g
    yes
    SMD/SMT
    2.5MOhm
    not_compliant
    23 ns
    SWITCHING
    52 ns
    2.8V
    40V
    2.8 V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
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IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2 Tab) TO-263 对比