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IPB50R299CPATMA1备选型号: IPB65R280C6ATMA1

IPB50R299CPATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 550V 12A TO-263

8 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
SILICON
12A Tc
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
CoolMOS™
2008
e3
no
Obsolete
1 (Unlimited)
2
Tin (Sn)
SINGLE
鸥翼
未说明
未说明
4
R-PSSO-G2
不合格
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
增强型MOSFET
104W
DRAIN
35 ns
N-Channel
SWITCHING
299m Ω @ 6.6A, 10V
3.5V @ 440μA
无卤素
1190pF @ 100V
31nC @ 10V
14ns
550V
±20V
12 ns
12A
20V
500V
0.299Ohm
26A
289 mJ
符合RoHS标准
含铅
-
IPB65R280C6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(2 Tab) TO-263

12 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
SILICON
13.8A Tc
-55°C~150°C TJ
Tape & Reel (TR)
CoolMOS™
2008
e3
no
Obsolete
1 (Unlimited)
2
Tin (Sn)
SINGLE
鸥翼
未说明
未说明
4
R-PSSO-G2
不合格
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
增强型MOSFET
104W
DRAIN
13 ns
N-Channel
SWITCHING
280m Ω @ 4.4A, 10V
3.5V @ 440μA
无卤素
950pF @ 100V
45nC @ 10V
11ns
-
±20V
12 ns
13.8A
20V
650V
0.28Ohm
39A
290 mJ
符合RoHS标准
含铅
EAR99
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