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IPB60R190P6ATMA1备选型号: STB28N60M2
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- 晶体管元件材料
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- 操作温度
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 质量
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
MOSFET N-CH 600V TO263-312 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装SILICON20.2A Tc2008CoolMOS™ P6Cut Tape (CT)-55°C~150°C TJyesObsolete1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING190m Ω @ 7.6A, 10V4.5V @ 630μA无卤素1750pF @ 100V37nC @ 10V±20V20.2A600V0.19Ohm57A419 mJ符合RoHS标准含铅-----------
MOSFET POWER MOSFET26 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装SILICON22A Tc-MDmesh™ II PlusCut Tape (CT)-55°C~150°C TJ-活跃1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼--R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING150m Ω @ 11A, 10V4V @ 250μA-1440pF @ 100V36nC @ 10V±25V22A--88A350 mJROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)Tin3.949996gSTB28N1Single14.5 ns7.2ns8 ns25V600V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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