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IPB60R299CPAATMA1备选型号: IPB65R225C7ATMA1
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 通道数量
- 下降时间（典型值）
- JEDEC-95代码
Trans MOSFET N-CH 600V 11A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R18 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON11A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™2009e3no活跃1 (Unlimited)2Tin (Sn)鸥翼未说明not_compliant未说明4R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET96WDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING299m Ω @ 6.6A, 10V3.5V @ 440μA无卤素1100pF @ 100V29nC @ 10V5ns±20V11A20V600V0.299Ohm600V34A290 mJROHS3 Compliant含铅----- Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON11A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ C72008e3-Discontinued1 (Unlimited)2Tin (Sn)鸥翼未说明not_compliant未说明-R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET63WDRAIN9 nsN-ChannelSWITCHING225m Ω @ 4.8A, 10V4V @ 240μA无卤素996pF @ 400V20nC @ 10V6ns±20V11A20V650V0.225Ohm650V-48 mJROHS3 Compliant含铅3.949996g110 nsTO-252
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB50R299CPATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 550V 12A TO-263 | 对比 |
| IPB50R250CPATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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