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IPB77N06S212ATMA2备选型号: AUIRF1018ES
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- 操作温度
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 触点镀层
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 晶体管应用
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-310 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON77A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2006yes活跃1 (Unlimited)2EAR99鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2Single增强型MOSFET158WDRAIN14 nsN-Channel11.7m Ω @ 38A, 10V4V @ 93μA无卤素1770pF @ 25V60nC @ 10V27ns±20V26 ns77A20V55V0.0117Ohm55V280 mJROHS3 Compliant----------- MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON79A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2011-Discontinued1 (Unlimited)2EAR99鸥翼260-30R-PSSO-G2Single增强型MOSFET110WDRAIN13 nsN-Channel8.4m Ω @ 47A, 10V4V @ 100μA-2290pF @ 50V69nC @ 10V35ns±20V46 ns79A20V-0.0084Ohm60V88 mJROHS3 CompliantLead, Tine3Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITYSWITCHING4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB80N06S2L11ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | 对比 |
| IPB80N06S209ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | 对比 |
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