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首页 全部分类 IPD30N03S2L10ATMA1 vs NTD70N03RG

IPD30N03S2L10ATMA1备选型号: NTD70N03RG

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  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    IPD30N03S2L10ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    30A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 50μA
    无卤素
    1200pF @ 25V
    42nC @ 10V
    21ns
    ±20V
    10 ns
    30A
    20V
    30V
    0.0146Ohm
    120A
    150 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD70N03RG
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 10A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    SILICON
    10A Ta 32A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2008
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    鸥翼
    260
    -
    40
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    -
    1333pF @ 20V
    13.2nC @ 5V
    1.3ns
    ±20V
    1.3 ns
    32A
    20V
    -
    0.013Ohm
    140A
    71.7 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    25V
    72A
    3
    不合格
    Single
    1.87W
    62.8A
    25V
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