IPD30N06S215ATMA2备选型号: DMP4015SK3Q-13

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    30A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2006
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    14.7m Ω @ 30A, 10V
    4V @ 80μA
    1485pF @ 25V
    110nC @ 10V
    ±20V
    30A
    55V
    0.0147Ohm
    120A
    240 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 40V 14A TO252 DPAK
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    14A Ta 35A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2012
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    P-Channel
    11mOhm @ 9.8A, 10V
    2.5V @ 250μA
    4234pF @ 20V
    47.5nC @ 5V
    ±25V
    35A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    TO-252
    150°C
    -55°C
    40V
    4.234nF
    11 mΩ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET P-CH 55V 31A DPAK 对比
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 55V 30A DPAK 对比