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首页 全部分类 IPD30N06S2L23ATMA3 vs FDD5680

IPD30N06S2L23ATMA3备选型号: FDD5680

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  • 额定电流
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  • 功率耗散
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  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPD30N06S2L23ATMA3
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252
    10 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    30A Tc
    2006
    OptiMOS™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    23m Ω @ 22A, 10V
    2V @ 50μA
    1091pF @ 25V
    42nC @ 10V
    ±20V
    30A
    55V
    120A
    150 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD5680
    ON Semiconductor
    MOSFET N-Ch PowerTrench
    8 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    8.5A Ta
    -
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    21m Ω @ 8.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1835pF @ 30V
    46nC @ 10V
    ±20V
    8.5A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    260.37mg
    21mOhm
    60V
    38A
    Single
    60W
    15 ns
    SWITCHING
    9ns
    16 ns
    20V
    60V
    无
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IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET P-CH 55V 31A DPAK 对比