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首页 全部分类 IPD33CN10NGATMA1 vs STD30N10F7

IPD33CN10NGATMA1备选型号: STD30N10F7

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  • 雪崩能量等级（Eas）
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  • 生命周期状态
  • 质量
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  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IPD33CN10NGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    27A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    58W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    33m Ω @ 27A, 10V
    4V @ 29μA
    无卤素
    1570pF @ 50V
    24nC @ 10V
    21ns
    ±20V
    4 ns
    27A
    TO-252AA
    20V
    100V
    108A
    47 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD30N10F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 30A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    32A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    12 ns
    N-Channel
    -
    24m Ω @ 16A, 10V
    4.5V @ 250μA
    -
    1270pF @ 50V
    19nC @ 10V
    17.5ns
    -
    5.6 ns
    32A
    -
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    3.949996g
    EAR99
    STD30N
    1
    Single
    100V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
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