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首页 全部分类 IPD70N10S312ATMA1 vs IPD110N12N3GATMA1

IPD70N10S312ATMA1备选型号: IPD110N12N3GATMA1

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  • JESD-609代码
  • 零件状态
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管应用
  • 下降时间（典型值）
  • Infineon Technologies
    IPD70N10S312ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    70A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    11.1m Ω @ 70A, 10V
    4V @ 83μA
    无卤素
    4355pF @ 25V
    65nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    70A
    20V
    100V
    0.0111Ohm
    280A
    410 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD110N12N3GATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    -
    not_compliant
    -
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    11m Ω @ 75A, 10V
    3V @ 83μA (Typ)
    无卤素
    4310pF @ 60V
    65nC @ 10V
    -
    ±20V
    75A
    20V
    120V
    0.011Ohm
    -
    120 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    SWITCHING
    8 ns
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