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首页 全部分类 IPG16N10S461ATMA1 vs IRF6665TRPBF

IPG16N10S461ATMA1备选型号: IRF6665TRPBF

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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
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  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
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  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPG16N10S461ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    29W
    FLAT
    not_compliant
    8
    R-PDSO-F6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    3 ns
    29W
    2 N-Channel (Dual)
    61m Ω @ 16A, 10V
    3.5V @ 9μA
    无卤素
    490pF @ 25V
    7nC @ 10V
    1ns
    16A
    20V
    100V
    0.061Ohm
    64A
    33 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    20 pF
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6665TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SH
    3
    SILICON
    4.2A Ta 19A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    R-XBCC-N2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    7.4 ns
    -
    N-Channel
    62m Ω @ 5A, 10V
    -
    -
    530pF @ 25V
    13nC @ 10V
    2.8ns
    3.4A
    20V
    -
    0.062Ohm
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    5V @ 250μA
    HIGH RELIABILITY
    100V
    BOTTOM
    4.2A
    Single
    42W
    SWITCHING
    ±20V
    4.3 ns
    5V
    100V
    5 V
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
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