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IPI045N10N3GXKSA1备选型号: IRF5210LPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 系列
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 箱体转运
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-26218 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON48 ns3.5V @ 150μA2008OptiMOS™-55°C~175°C TJTubee3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)SINGLE未说明未说明R-PSIP-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET214W27 nsN-ChannelSWITCHING4.5m Ω @ 100A, 10V无卤素8410pF @ 50V117nC @ 10V59ns±20V14 ns100A20V100V0.0045Ohm400A340 mJROHS3 Compliant无铅----------------
MOSFET P-CH 100V 38A TO-26212 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON38A Tc4V @ 250μA1998HEXFET®-55°C~150°C TJTubee3-活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier-26030---增强型MOSFET200W14 nsP-ChannelSWITCHING60m Ω @ 38A, 10V-2780pF @ 25V230nC @ 10V63ns±20V55 ns-40A20V----ROHS3 Compliant含铅SMD/SMT60mOhmHIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE-100V-40ASingleDRAIN4V-100V100V4 V9.652mm10.54mm4.69mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFSL4310ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 120A TO-262 | 对比 |
| IRFSL4410ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 97A TO-262 | 对比 |
 | FDI045N10A-F102 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 | 对比 |
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