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IPI110N20N3GAKSA1备选型号: AUIRFSL4115
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
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- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 系列
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 最大rds
MOSFET N-CH 200V 88A TO262-318 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON14V @ 270μAOptiMOS™-55°C~175°C TJTube2008e3no活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)SINGLE未说明未说明R-PSIP-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET300W18 nsN-ChannelSWITCHING11m Ω @ 88A, 10V无卤素7100pF @ 100V87nC @ 10V26ns±20V11 ns88A20V200V352A560 mJnot_compliantROHS3 Compliant含铅------
MOSFET N CH 150V 99A TO26216 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA--99A Tc5V @ 250μAHEXFET®-55°C~175°C TJTube2015--活跃1 (Unlimited)------------N-Channel-12.1mOhm @ 62A, 10V-5270pF @ 50V120nC @ 10V-±20V-99A-----ROHS3 Compliant-TO-262175°C-55°C150V5.27nF12.1 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPI075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3 | 对比 |
| IPI320N20N3GAKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3 Tab) TO-262 | 对比 |
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