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IPI70N10S3L12AKSA1备选型号: IPI147N12N3GAKSA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 下降时间（典型值）
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-316 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA370A Tc2.4V @ 83μA-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2012Obsolete1 (Unlimited)EAR9910 nsN-Channel12.1m Ω @ 70A, 10V无卤素5550pF @ 25V80nC @ 10V5ns±20V70A20V100V符合RoHS标准含铅------------------- Trans MOSFET N-CH 120V 56A 3-Pin(3 Tab) TO-26212 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA356A Ta4V @ 61μA-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2008不用于新设计1 (Unlimited)EAR9916 nsN-Channel14.7m Ω @ 56A, 10V无卤素3220pF @ 60V49nC @ 10V9ns±20V56A20V120VROHS3 Compliant含铅SILICONe3no3Tin (Sn)SINGLE未说明未说明R-PSIP-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET107WSWITCHING4 ns224A90 mJnot_compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPI50N10S3L16AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3 | 对比 |
 | STI76NF75 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK | 对比 |
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