IPN50R950CEATMA1备选型号: IPN60R1K0CEATMA1

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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 接通延迟时间
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度(Tj)
  • 漏源电阻
  • 高度
  • Infineon Technologies
    INFINEON IPN50R950CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 6.6 A, 500 V, 0.86 ohm, 13 V, 3 VNew
    18 Weeks
    表面贴装
    TO-261-3
    3
    5W Tc
    3.5V @ 100μA
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    N-Channel
    950m Ω @ 1.2A, 13V
    231pF @ 100V
    10.5nC @ 10V
    500V
    ±20V
    6.6A
    3V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    INFINEON IPN60R1K0CEATMA1 Power MOSFET, N Channel, 6.8 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 3 VNew
    18 Weeks
    表面贴装
    SOT-223-3
    3
    6.8A Tc
    3.5V @ 130μA
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    2013
    -
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    -
    -
    N-Channel
    1Ohm @ 1.5A, 10V
    280pF @ 100V
    13nC @ 10V
    600V
    ±20V
    6.8A
    3V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    PG-SOT223
    150°C
    -40°C
    1
    5W
    10 ns
    20V
    600V
    150°C
    900mOhm
    1.8mm
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