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首页 全部分类 IPP024N06N3GXKSA1 vs STP260N6F6

IPP024N06N3GXKSA1备选型号: STP260N6F6

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPP024N06N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    41 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.4m Ω @ 100A, 10V
    4V @ 196μA
    无卤素
    23000pF @ 30V
    275nC @ 10V
    ±20V
    120A
    TO-220AB
    20V
    60V
    0.0024Ohm
    60V
    480A
    15.65mm
    10mm
    4.4mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP260N6F6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 120A TO220
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    31.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 60A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    11400pF @ 25V
    183nC @ 10V
    ±20V
    120A
    TO-220AB
    20V
    -
    -
    75V
    480A
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    3MOhm
    STP260
    300W
    165ns
    60V
    62.6 ns
    2V
    无SVHC
    无
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