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首页 全部分类 IPP030N10N5AKSA1 vs FDP054N10

IPP030N10N5AKSA1备选型号: FDP054N10

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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • ECCN 代码
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  • 功率耗散
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  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPP030N10N5AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    6.000006g
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 100A, 10V
    3.8V @ 184μA
    无卤素
    10300pF @ 50V
    139nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    17 ns
    120A
    TO-220AB
    20V
    100V
    0.003Ohm
    100V
    480A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP054N10
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP054N10 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 100 V, 0.0046 ohm, 10 V, 3.5 V
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    2.421g
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2004
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    44 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.5m Ω @ 75A, 10V
    4.5V @ 250μA
    -
    13280pF @ 25V
    203nC @ 10V
    92ns
    ±20V
    39 ns
    120A
    TO-220AB
    20V
    -
    0.0055Ohm
    -
    576A
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    3
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    263W
    100V
    3.5V
    15.38mm
    10.1mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
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