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首页 全部分类 IPP032N06N3GXKSA1 vs IPP037N06L3GXKSA1

IPP032N06N3GXKSA1备选型号: IPP037N06L3GXKSA1

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  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 配置
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IPP032N06N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    3
    Single
    增强型MOSFET
    188W
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.2m Ω @ 100A, 10V
    4V @ 118μA
    无卤素
    13000pF @ 30V
    165nC @ 10V
    120ns
    ±20V
    20 ns
    120A
    TO-220AB
    20V
    60V
    60V
    480A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP037N06L3GXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET, N-CH, 60V, 90A, TO-220
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    90A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    3
    -
    增强型MOSFET
    167W
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.7m Ω @ 90A, 10V
    2.2V @ 93μA
    无卤素
    13000pF @ 30V
    79nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    13 ns
    90A
    TO-220AB
    -
    60V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    逻辑电平兼容
    SINGLE
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    165 mJ
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