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首页 全部分类 IPP045N10N3GXKSA1 vs FDP054N10

IPP045N10N3GXKSA1备选型号: FDP054N10

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  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 附加功能
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPP045N10N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    214W
    27 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5m Ω @ 100A, 10V
    3.5V @ 150μA
    无卤素
    8410pF @ 50V
    117nC @ 10V
    59ns
    ±20V
    14 ns
    100A
    TO-220AB
    20V
    100V
    0.0045Ohm
    400A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP054N10
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP054N10 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 100 V, 0.0046 ohm, 10 V, 3.5 V
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    263W
    44 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.5m Ω @ 75A, 10V
    4.5V @ 250μA
    -
    13280pF @ 25V
    203nC @ 10V
    92ns
    ±20V
    39 ns
    120A
    TO-220AB
    20V
    -
    0.0055Ohm
    576A
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    2.421g
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    Single
    100V
    3.5V
    15.38mm
    10.1mm
    4.7mm
    无SVHC
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