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首页 全部分类 IPP09N03LA vs IPP084N06L3GXKSA1

IPP09N03LA备选型号: IPP084N06L3GXKSA1

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  • 安装类型
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  • 晶体管元件材料
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  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 端子位置
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPP09N03LA
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2003
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    哑光锡
    逻辑电平兼容
    25V
    未说明
    50A
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    63W
    N-Channel
    SWITCHING
    9.2m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 20μA
    1642pF @ 15V
    13nC @ 5V
    88.5ns
    ±20V
    4.2 ns
    50A
    TO-220AB
    20V
    65A
    0.0155Ohm
    25V
    75 mJ
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP084N06L3GXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET, N CH, 50A, 60V, PG-TO220-3
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2008
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    逻辑电平兼容
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    79W
    N-Channel
    SWITCHING
    8.4m Ω @ 50A, 10V
    2.2V @ 34μA
    4900pF @ 30V
    29nC @ 4.5V
    26ns
    ±20V
    7 ns
    50A
    TO-220AB
    20V
    -
    0.0084Ohm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    13 Weeks
    3
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    15 ns
    60V
    200A
    60V
    无SVHC
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