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首页 全部分类 IPP110N20NAAKSA1 vs IPP120N20NFDAKSA1

IPP110N20NAAKSA1备选型号: IPP120N20NFDAKSA1

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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • Infineon Technologies
    IPP110N20NAAKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive 3-Pin(3 Tab) TO-220
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    88A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptimWatt™
    2008
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    300W
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10.7m Ω @ 88A, 10V
    4V @ 270μA
    无卤素
    7100pF @ 100V
    87nC @ 10V
    26ns
    ±20V
    11 ns
    88A
    TO-220AB
    20V
    200V
    560 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP120N20NFDAKSA1
    Infineon Technologies
    IPP120N20NFD Series 200 V 84 A OptiMOS?FD Power Transistor MOSFET - TO-220-3
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    84A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    not_compliant
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    300W
    13 ns
    N-Channel
    -
    12m Ω @ 84A, 10V
    4V @ 270μA
    无卤素
    6650pF @ 100V
    87nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    8 ns
    84A
    TO-220AB
    20V
    200V
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    6.000006g
    Single
    DRAIN
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