IPP45N06S3L-13备选型号: IRLZ44NPBF

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  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 包装
  • 系列
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  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 电阻
  • 螺纹距离
  • 通道数量
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度(Tj)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 45A TO-220
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    65W Tc
    Tube
    OptiMOS™
    2007
    -55°C~175°C TJ
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    哑光锡
    逻辑电平兼容
    55V
    260
    45A
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    65W
    N-Channel
    13.4m Ω @ 26A, 10V
    2.2V @ 30μA
    3600pF @ 25V
    75nC @ 10V
    46ns
    ±16V
    124 ns
    45A
    TO-220AB
    16V
    55V
    95 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 47A TO-220AB
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    47A Tc
    Tube
    HEXFET®
    1997
    -55°C~175°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    雪崩 额定
    55V
    -
    47A
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    83W
    N-Channel
    22m Ω @ 25A, 10V
    2V @ 250μA
    1700pF @ 25V
    48nC @ 5V
    84ns
    ±16V
    15 ns
    47A
    TO-220AB
    16V
    55V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    22mOhm
    2.54mm
    1
    DRAIN
    11 ns
    SWITCHING
    2V
    55V
    120 ns
    175°C
    2 V
    19.8mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
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