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IPP60R099P6XKSA1备选型号: FCP36N60N
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 电阻
- 元素配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 600V TO220-318 Weeks通孔通孔TO-220-3337.9A Tc4.5V @ 1.21mA-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ P62008e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)未说明未说明1278W20 nsN-Channel99m Ω @ 14.5A, 10V无卤素3330pF @ 100V70nC @ 10V10ns±20V5 ns37.9A3.5V20V600V600V150°C20.7mmROHS3 Compliant无铅------------
MOSFET N-CH 600V 36A TO-220-312 Weeks通孔通孔TO-220-3336A Tc4V @ 250μA-55°C~150°C TJTubeSupreMOS™2013e3yesACTIVE (Last Updated: 2 days ago)1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)---312W23 nsN-Channel90m Ω @ 18A, 10V-4785pF @ 100V112nC @ 10V22ns±30V4 ns36A2V30V-600V-16.51mmROHS3 Compliant无铅2.421gSILICON390MOhmSingle增强型MOSFETSWITCHINGTO-220AB10.67mm4.83mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP43N60DM2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | STMICROELECTRONICS STP43N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 34 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
| IPP60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | 对比 |
| STP34NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Mosfet Transistor, N Channel, 29 A, 600 V, 0.092 Ohm, 10 V, 3 V Rohs Compliant: Yes | 对比 |
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