IPP65R110CFDAAKSA1备选型号: STP45N65M5
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 650V TO-220-318 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON277.8W TcAutomotive, AEC-Q101, CoolMOS™2008-40°C~150°C TJTubee3no活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)HIGH RELIABILITYSINGLE未说明not_compliant未说明3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET16 nsN-ChannelSWITCHING110m Ω @ 12.7A, 10V4.5V @ 1.3mA无卤素3240pF @ 100V118nC @ 10V11ns±20V6 ns31.2ATO-220AB20V650V0.11Ohm99.6A845 mJROHS3 Compliant含铅---------------
- MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh V MOS17 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON35A TcMDmesh™ V-150°C TJTubee3-活跃1 (Unlimited)3Matte Tin (Sn)超低电阻------增强型MOSFET79.5 nsN-ChannelSWITCHING78m Ω @ 19.5A, 10V5V @ 250μA-3375pF @ 100V91nC @ 10V-±25V-35ATO-220AB25V--140A810 mJROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)EAR9978MOhmSTP45NSingle208WDRAIN4V650V4 V15.75mm10.4mm4.6mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | 对比 |
![]() | STP38N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 30A TO-220 | 对比 |
![]() | IPP65R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-Ch 700V 38A TO220-3 | 对比 |




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