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首页 全部分类 IPP65R600E6XKSA1 vs IPP60R600P6XKSA1

IPP65R600E6XKSA1备选型号: IPP60R600P6XKSA1

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
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  • 包装
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  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IPP65R600E6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    7.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2011
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    63W
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    600m Ω @ 2.1A, 10V
    3.5V @ 210μA
    无卤素
    440pF @ 100V
    23nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    11 ns
    7.3A
    TO-220AB
    20V
    650V
    0.6Ohm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP60R600P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    63W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2013
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    11 ns
    N-Channel
    -
    600mOhm @ 2.4A, 10V
    4.5V @ 200μA
    无卤素
    557pF @ 100V
    12nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    14 ns
    7.3A
    -
    20V
    600V
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    3
    PG-TO220-3
    150°C
    -55°C
    600V
    557pF
    540mOhm
    600 mΩ
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