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首页 全部分类 IPP70N04S406AKSA1 vs IPP065N03LGXKSA1

IPP70N04S406AKSA1备选型号: IPP065N03LGXKSA1

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无铅代码
  • 附加功能
  • 引脚数量
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPP70N04S406AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3-1
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    70A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    8 ns
    N-Channel
    6.5m Ω @ 70A, 10V
    4V @ 26μA
    无卤素
    2550pF @ 25V
    32nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    9 ns
    70A
    TO-220AB
    20V
    40V
    0.0065Ohm
    280A
    72 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP065N03LGXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2007
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    SINGLE
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    5.5 ns
    N-Channel
    6.5m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    -
    2400pF @ 15V
    23nC @ 10V
    4.2ns
    ±20V
    3.4 ns
    50A
    TO-220AB
    20V
    -
    0.0095Ohm
    -
    60 mJ
    符合RoHS标准
    -
    yes
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    3
    SWITCHING
    30V
    无
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