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首页 全部分类 IPP80N06S2L09AKSA2 vs DMTH6005LCT

IPP80N06S2L09AKSA2备选型号: DMTH6005LCT

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 下降时间（典型值）
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  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IPP80N06S2L09AKSA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
    14 Weeks
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    4.5V 10V
    OptiMOS™
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    2006
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    逻辑电平兼容
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    10 ns
    N-Channel
    8.5m Ω @ 52A, 10V
    2V @ 125μA
    2620pF @ 25V
    105nC @ 10V
    19ns
    ±20V
    18 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    55V
    ROHS3 Compliant
    无
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMTH6005LCT
    Diodes Incorporated
    MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
    20 Weeks
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    -
    SILICON
    100A Tc
    Automotive, AEC-Q101
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    6m Ω @ 20A, 10V
    3V @ 250μA
    2962pF @ 30V
    47.1nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    100A
    TO-220AB
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    e3
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSFM-T3
    SWITCHING
    60V
    0.006Ohm
    160A
    60V
    98 mJ
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