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IPS70R1K4CEAKMA1备选型号: IPU60R1K5CEAKMA2
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- ECCN 代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大双电源电压
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 终止次数
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- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET NCH 700V 5.4A TO25118 Weeks表面贴装表面贴装TO-251-3 Stub Leads, IPak5.4A Tc-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™2013e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)not_compliantN-Channel1.4 Ω @ 1A, 10V3.5V @ 100μA无卤素225pF @ 100V10.5nC @ 10V±20V5.4A700V超级交界处ROHS3 Compliant含铅-----------
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-318 Weeks表面贴装通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3.1A Tc-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™ CE2008e3yes活跃3 (168 Hours)-Tin (Sn)not_compliantN-Channel1.5 Ω @ 1.1A, 10V3.5V @ 90μA无卤素200pF @ 100V9.4nC @ 10V±20V3.1A600V-ROHS3 Compliant含铅SILICON3SINGLER-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING5A8A26 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDMC6679AZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerWDFN | P-Channel Power Trench® MOSFET -30V, -20A, 10mO | 对比 |
| IPU50R2K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251 | 对比 |
 | STD1NK60-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 1A IPAK | 对比 |
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