IPU50R2K0CEBKMA1备选型号: IPU60R1K5CEAKMA2
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- 底架
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 无铅
- MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251Surface Mount, Through Hole通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA32.4A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2013noObsolete3 (168 Hours)EAR99未说明未说明Single22W6 nsN-Channel2 Ω @ 600mA, 13V3.5V @ 50μA124pF @ 100V6nC @ 10V5ns500V±20V38 ns2.4A20V550V6.22mm6.73mm2.41mm符合RoHS标准------------------
- MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3表面贴装通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA-3.1A Tc-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™ CE2008yes活跃3 (168 Hours)------N-Channel1.5 Ω @ 1.1A, 10V3.5V @ 90μA200pF @ 100V9.4nC @ 10V--±20V-3.1A-----ROHS3 Compliant18 WeeksSILICONe33Tin (Sn)SINGLEnot_compliantR-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING无卤素600V5A8A26 mJ含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD3NK50Z-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | STMICROELECTRONICS STD3NK50Z-1 MOSFET Transistor, N Channel, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V | 对比 |
![]() | IPS65R1K5CEAKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET N-CH 650V TO-251-3 | 对比 |
![]() | IPU50R3K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Trans MOSFET N-CH 550V 1.7A 3-Pin TO-251 Tube | 对比 |





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