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IPU60R1K5CEAKMA2备选型号: FDMC6679AZ
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 质量
- ECCN 代码
- 电阻
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-318 Weeks表面贴装通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AASILICON3.1A Tc-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™ CE2008e3yes活跃3 (168 Hours)3Tin (Sn)SINGLEnot_compliantR-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING1.5 Ω @ 1.1A, 10V3.5V @ 90μA无卤素200pF @ 100V9.4nC @ 10V±20V3.1A600V5A8A26 mJROHS3 Compliant含铅--------------------
P-Channel Power Trench® MOSFET -30V, -20A, 10mO23 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFNSILICON11.5A Ta 20A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006e4yes活跃1 (Unlimited)5-DUAL-S-PDSO-N5-增强型MOSFETDRAINP-ChannelSWITCHING10m Ω @ 11.5A, 10V3V @ 250μA-3970pF @ 15V91nC @ 10V±25V11.5A--32A-ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)Gold8165.33333mgEAR9910MOhmSingle41W12 ns14ns30V46 ns-1.8V25V-30V750μm3.3mm3.3mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPU50R2K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251 | 对比 |
 | STD1NK60-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 1A IPAK | 对比 |
 | IPS70R1K4CEAKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET NCH 700V 5.4A TO251 | 对比 |
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