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IPU60R1K5CEBKMA1备选型号: SPS04N60C3BKMA1
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- 晶体管元件材料
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 引脚数量
- 配置
- 功率耗散
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-Ch 600V 3.1A IPAK-3通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA343.085929mgSILICON3.1A Tc-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™ CE2015yesDiscontinued3 (168 Hours)3R-PSIP-T31Single增强型MOSFETDRAIN8 nsN-ChannelSWITCHING1.5 Ω @ 1.1A, 10V3.5V @ 90μA200pF @ 100V9.4nC @ 10V7ns600V±20V20 ns3.1A20V5A8A600V26 mJROHS3 Compliant-----------
Trans MOSFET N-CH 650V 4.5A 3-Pin(3 Tab) TO-251通孔通孔TO-251-3 Stub Leads, IPak-SILICON4.5A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2005yesObsolete1 (Unlimited)3R-PSIP-T3--增强型MOSFETISOLATED6 nsN-ChannelSWITCHING950m Ω @ 2.8A, 10V3.9V @ 200μA490pF @ 25V25nC @ 10V2.5ns650V±20V9.5 ns4.5A20V----符合RoHS标准e3Tin (Sn)SINGLE3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE50W不含卤素600V0.95Ohm无含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPU50R2K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251 | 对比 |
| IPU60R1K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-Ch 600V 4.3A IPAK-3 | 对比 |
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