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IPW60R250CP备选型号: SPW11N60C3FKSA1
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 栅源电压
- RoHS状态
- 附加功能
- 端子位置
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 配置
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 650V 12A TO-247通孔TO-247-3NO3SILICON12A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2011e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99TIN未说明未说明3不合格Single增强型MOSFET104WN-ChannelSWITCHING250m Ω @ 7.8A, 10V3.5V @ 440μA1200pF @ 100V35nC @ 10V650V±20V12A20V0.25Ohm600V40A3 V符合RoHS标准---------- MOSFET N-CH 650V 11A TO-247通孔TO-247-3NO-SILICON11A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2005e3yesObsolete1 (Unlimited)3-Tin (Sn)未说明未说明3不合格-增强型MOSFET-N-Channel-380m Ω @ 7A, 10V3.9V @ 500μA1200pF @ 25V60nC @ 10V650V±20V--0.38Ohm-33A-符合RoHS标准雪崩 额定SINGLEcompliantR-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODETO-247AD11A600V340 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STW19NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 | 对比 |
| IPW60R280E6FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247 | 对比 |
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