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IPW65R045C7FKSA1备选型号: IPW60R040C7XKSA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- RoHS状态
- 无铅
- 无铅代码
- JESD-30代码
- 无卤素
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-CH 650V 46A TO-247-318 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON46A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ C72008e3活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)SINGLE未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET227WDRAIN20 nsN-ChannelSWITCHING45m Ω @ 24.9A, 10V4V @ 1.25mA4340pF @ 400V93nC @ 10V14ns±20V7 ns46A20V650V0.045Ohm650V249 mJ150°C25.4mmROHS3 Compliant无铅----
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-318 Weeks通孔通孔TO-247-3-SILICON50A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ C72007e3活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)SINGLE未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE-增强型MOSFET-DRAIN-N-ChannelSWITCHING40m Ω @ 24.9A, 10V4V @ 1.24mA4340pF @ 400V107nC @ 10V-±20V-50A-600V0.04Ohm-249 mJ--ROHS3 Compliant无铅yesR-PSFM-T3无卤素211A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STW45N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh V MOS | 对比 |
| STW42N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 650V 33A TO-247 | 对比 |
| IPW65R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3 Tab) TO-247 | 对比 |
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