IR2114SSPBF备选型号: IR21141SSTRPBF

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
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  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 类型
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 基本部件号
  • 输出的数量
  • 输出电压
  • 最大输出电流
  • 电源
  • 电源电流
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 最大电源电流
  • 传播延迟
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 信道型
  • 接通时间
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流(源极,漏极)
  • 最大结点温度(Tj)
  • 关断时间
  • 内置保护器
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 环境温度范围高
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 驱动器数量
  • 输入偏置电流
  • Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    24-SSOP (0.209, 5.30mm Width)
    24
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    24
    EAR99
    Integrated Circuit (IC)
    60Ohm
    Matte Tin (Sn)
    1.5W
    11.5V~20V
    DUAL
    鸥翼
    1
    15V
    0.65mm
    IR2114SSPBF
    2
    620V
    3A
    15V
    2.5mA
    1.5W
    1A
    2.5mA
    440 ns
    Non-Inverting
    440 ns
    24ns
    7 ns
    24ns 7ns
    Independent
    0.66 μs
    IGBT
    2A 3A
    150°C
    0.66 μs
    TRANSIENT; OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE
    600V
    125°C
    2mm
    8.2mm
    5.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP
    -
    表面贴装
    表面贴装
    24-SSOP (0.209, 5.30mm Width)
    24
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    -
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    -
    -
    -
    60Ohm
    -
    1.5W
    11.5V~20V
    -
    -
    -
    -
    -
    IR21141SSPBF
    2
    620V
    3A
    -
    2.5mA
    1.5W
    3A
    2.5mA
    660 ns
    Non-Inverting
    440 ns
    24ns
    7 ns
    24ns 7ns
    Independent
    -
    IGBT
    2A 3A
    -
    -
    -
    600V
    -
    1.8542mm
    8.4836mm
    5.588mm
    -
    符合RoHS标准
    -
    24-SSOP
    125°C
    -40°C
    20V
    11.5V
    2
    330μA
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