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首页 全部分类 IRF1010NPBF vs IRF1010EZPBF

IRF1010NPBF备选型号: IRF1010EZPBF

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  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
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  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF1010NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    85A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2001
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    11MOhm
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    55V
    85A
    2.54mm
    1
    Single
    增强型MOSFET
    180W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 43A, 10V
    4V @ 250μA
    3210pF @ 25V
    120nC @ 10V
    76ns
    ±20V
    48 ns
    85A
    4V
    TO-220AB
    20V
    55V
    290A
    55V
    250 mJ
    100 ns
    175°C
    4 V
    19.8mm
    10.6426mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
  • Infineon Technologies
    IRF1010EZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
    12 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    8.5MOhm
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    60V
    75A
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    DRAIN
    19 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.5m Ω @ 51A, 10V
    4V @ 100μA
    2810pF @ 25V
    86nC @ 10V
    90ns
    ±20V
    54 ns
    75A
    4V
    TO-220AB
    20V
    60V
    -
    60V
    99 mJ
    -
    -
    4 V
    9.017mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
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