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IRF1324STRLPBF备选型号: STB300NH02L
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
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- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
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- 长度
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- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 终端
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- 终端形式
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- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK195A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2009Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°C300W17 nsN-Channel1.65mOhm @ 195A, 10V4V @ 250μA7590pF @ 24V240nC @ 10V190ns24V±20V120 ns195A20V24V7.59nF1.65 mΩ4.826mm10.668mm9.65mm无符合RoHS标准---------------------
MOSFET N Ch 200V 0.15 Ohm 15A Pwr MOSFET表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™-Obsolete1 (Unlimited)--300W-N-Channel1.8m Ω @ 80A, 10V2V @ 250μA7055pF @ 15V109.4nC @ 10V275ns-±20V94.4 ns80A20V24V------ROHS3 CompliantSILICON2SMD/SMTEAR991.8MOhm鸥翼未说明unknown未说明STB300N3R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFETSWITCHING2V24V2 V无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRL3713STRRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK | 对比 |
| IRL3713STRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK | 对比 |
| STB80NF03L-04T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 对比 |
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