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IRF1404SPBF备选型号: IRFS7437TRLPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAKTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON162A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2001e3Discontinued1 (Unlimited)2EAR994mOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE40V鸥翼260162A30R-PSSO-G2Single增强型MOSFET200WDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING4m Ω @ 95A, 10V4V @ 250μA7360pF @ 25V200nC @ 10V140ns±20V26 ns162A4V20V75A40V650A40V110 ns4 V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--- MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON195A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™2012-活跃1 (Unlimited)2EAR991.8MOhm--鸥翼---R-PSSO-G2Single增强型MOSFET230WDRAIN19 nsN-ChannelSWITCHING1.8m Ω @ 100A, 10V3.9V @ 150μA7330pF @ 25V225nC @ 10V70ns±20V53 ns195A3V20V-40V---3 V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅12 Weeks802 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFS8407 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | INFINEON AUIRFS8407 MOSFET Transistor, N Channel, 195 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
| IRL1404STRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK | 对比 |
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