IRF1405ZSTRRPBF备选型号: STB120N4F6
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 长度
- 无铅
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB7D2PAK75A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2010Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°C230W18 nsN-Channel4.9mOhm @ 75A, 10V4V @ 250μA4780pF @ 25V180nC @ 10V110ns55V±20V82 ns75A20V55V4.78nF4.9mOhm4.9 mΩ4.826mm9.65mm无符合RoHS标准-------------------
- Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-80A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI-活跃1 (Unlimited)--110W20 nsN-Channel4m Ω @ 40A, 10V4V @ 250μA3850pF @ 25V65nC @ 10V70ns-±20V20 ns80A20V40V---4.6mm9.35mm无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)20 WeeksSILICONe32EAR994MOhmMatte Tin (Sn) - annealed鸥翼245STB120N4R-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAINSWITCHING10.4mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STB120N4LF6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
![]() | IRL3705NSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK | 对比 |
![]() | FDB050AN06A0 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |





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