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IRF3205ZSTRLPBF备选型号: STB141NF55
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- Reach合规守则
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 漏极-源极导通最大电阻
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON75A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2001e3活跃1 (Unlimited)2EAR996.5MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET170WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING6.5m Ω @ 66A, 10V4V @ 250μA3450pF @ 25V110nC @ 10V95ns±20V67 ns75A20V55V440A250 mJ20 V4.826mm10.668mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ II-e3活跃3 (168 Hours)2EAR99-Matte Tin (Sn) - annealed-鸥翼245未说明R-PSSO-G2Single增强型MOSFET300WDRAIN-N-ChannelSWITCHING8m Ω @ 40A, 10V4V @ 250μA5300pF @ 25V142nC @ 10V150ns±20V45 ns80A20V55V--------ROHS3 Compliant-not_compliantSTB141N3不合格0.008Ohm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB141NF55 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | 对比 |
| IRF1010ZSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |
| IRF1010NSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK | 对比 |
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