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IRF3711ZLPBF备选型号: IPI100N10S305AKSA1
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- 最高工作温度
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- 电压 - 额定直流
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- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-CH 20V 92A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3TO-26292A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°C20V92ASingle79WN-Channel6mOhm @ 15A, 10V2.45V @ 250μA2150pF @ 10V24nC @ 4.5V16ns20V±20V5.4 ns92A20V20V2.15nF7.3mOhm6 mΩ符合RoHS标准无铅----------------
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA--100A Tc-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2008Obsolete1 (Unlimited)-----300WN-Channel5.1m Ω @ 100A, 10V4V @ 240μA11570pF @ 25V176nC @ 10V17ns-±20V20 ns100A20V----ROHS3 Compliant含铅SILICONe33EAR99Tin (Sn)SINGLE未说明not_compliant未说明R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET34 ns无卤素100V400A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPI70N04S406AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3-1 | 对比 |
 | STI150N10F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK | 对比 |
| IRF3704ZLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 20V 67A TO-262 | 对比 |
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