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首页 全部分类 IRF5305PBF vs HUF76423P3

IRF5305PBF备选型号: HUF76423P3

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  • 栅源电压
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  • 辐射硬化
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  • 晶体管元件材料
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  • 无铅代码
  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • Infineon Technologies
    IRF5305PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220AB
    31A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2000
    活跃
    1 (Unlimited)
    通孔
    60mOhm
    175°C
    -55°C
    -55V
    -31A
    2.54mm
    1
    Single
    110W
    14 ns
    P-Channel
    60mOhm @ 16A, 10V
    4V @ 250μA
    1200pF @ 25V
    63nC @ 10V
    66ns
    55V
    ±20V
    63 ns
    -31A
    -4V
    20V
    -55V
    -55V
    1.2nF
    110 ns
    175°C
    60mOhm
    60 mΩ
    -4 V
    19.3mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HUF76423P3
    ON Semiconductor
    MOSFET 20a 60V N-Channel 0.037Ohm
    9 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    UltraFET™
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    30mOhm
    -
    -
    60V
    33A
    -
    -
    Single
    85W
    7 ns
    N-Channel
    30m Ω @ 35A, 10V
    3V @ 250μA
    1060pF @ 25V
    34nC @ 10V
    85ns
    -
    ±16V
    76 ns
    35A
    3V
    16V
    60V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    16.3mm
    10.67mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    1.8g
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-220AB
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