IRF6216TRPBF备选型号: IRF6217TRPBF

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  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
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  • 安装类型
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  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
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  • 电阻
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度(Tj)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC
    14 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    240mOhm
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    18 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    240m Ω @ 1.3A, 10V
    5V @ 250μA
    1280pF @ 25V
    49nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    26 ns
    -2.2A
    -5V
    20V
    -150V
    150V
    120 ns
    150°C
    5 V
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-SOIC
    14 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    700mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2002
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    12 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    2.4 Ω @ 420mA, 10V
    5V @ 250μA
    150pF @ 25V
    9nC @ 10V
    7.2ns
    ±20V
    16 ns
    -700mA
    -5V
    20V
    -150V
    -
    -
    -
    20 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    150V
    0.7A
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