IRF6609TR1PBF备选型号: IRF6715MTR1PBF

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  • 电阻
  • 最高工作温度
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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 元素配置
  • 恢复时间
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MT
    5
    DIRECTFET™ MT
    31A Ta 150A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    2MOhm
    150°C
    -40°C
    20V
    31A
    1.8W
    24 ns
    N-Channel
    2mOhm @ 31A, 10V
    2.45V @ 250μA
    6290pF @ 10V
    69nC @ 4.5V
    95ns
    20V
    ±20V
    9.8 ns
    25A
    1.55V
    20V
    20V
    20V
    6.29nF
    2.6mOhm
    2 mΩ
    2.45 V
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    DIRECTFET™ MX
    4.5V 10V
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    -
    150°C
    -40°C
    -
    -
    2.8W
    20 ns
    N-Channel
    1.6mOhm @ 34A, 10V
    2.4V @ 100μA
    5340pF @ 13V
    59nC @ 4.5V
    31ns
    25V
    ±20V
    12 ns
    34A
    1.9V
    20V
    25V
    25V
    5.34nF
    2.7mOhm
    1.6 mΩ
    1.9 V
    508μm
    5.45mm
    5.05mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    Single
    42 ns
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