您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRF6617TR1PBF vs IRF6721STRPBF

IRF6617TR1PBF备选型号: IRF6721STRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRF6617TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric ST
    5
    DIRECTFET™ ST
    14A Ta 55A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8.1MOhm
    150°C
    -40°C
    30V
    42A
    42W
    11 ns
    N-Channel
    8.1mOhm @ 15A, 10V
    2.35V @ 250μA
    1300pF @ 15V
    17nC @ 4.5V
    34ns
    30V
    ±20V
    3.7 ns
    11A
    20V
    30V
    1.3nF
    10.3mOhm
    8.1 mΩ
    2.35 V
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6721STRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    4
    -
    14A Ta 60A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    42W
    7.8 ns
    N-Channel
    7.3m Ω @ 14A, 10V
    2.4V @ 25μA
    1430pF @ 15V
    17nC @ 4.5V
    8.9ns
    -
    ±20V
    5.3 ns
    14A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    10 Weeks
    SILICON
    e1
    2
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    R-XBCC-N2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    0.0073Ohm
    62 mJ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRF6722MTRPBF IRF6722MTRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 DirectFET™ Isometric MP MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET 对比
IRF8327STRPBF IRF8327STRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 DirectFET™ Isometric SQ MOSFET N-CH 30V 14A SQ 对比