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首页 全部分类 IRF6620TRPBF vs IRF6795MTRPBF

IRF6620TRPBF备选型号: IRF6795MTRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF6620TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    5
    SILICON
    27A Ta 150A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    20V
    BOTTOM
    27A
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.7m Ω @ 27A, 10V
    2.45V @ 250μA
    4130pF @ 10V
    42nC @ 4.5V
    80ns
    ±20V
    6.6 ns
    22A
    20V
    0.0027Ohm
    20V
    220A
    39 mJ
    2.45 V
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • Infineon Technologies
    IRF6795MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET-MX
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    SILICON
    32A Ta 160A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    -
    -
    BOTTOM
    -
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    75W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.8m Ω @ 32A, 10V
    2.35V @ 100μA
    4280pF @ 13V
    53nC @ 4.5V
    27ns
    ±20V
    11 ns
    32A
    20V
    -
    25V
    250A
    -
    -
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
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