IRF6635TRPBF备选型号: IRF6727MTRPBF
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 额定电流
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET13 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MX5SILICON32A Ta 180A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2006Obsolete1 (Unlimited)3EAR991.8MOhm30VBOTTOM32AR-XBCC-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET89WDRAIN21 nsN-ChannelSWITCHING1.8m Ω @ 32A, 10V2.35V @ 250μA5970pF @ 15V71nC @ 4.5V13ns±20V8.3 ns32mA1.8V20V30V200 mJ1.8 V506μm6.35mm5.05mm无SVHC无符合RoHS标准无铅---
- MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET12 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MX5SILICON32A Ta 180A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2009活跃1 (Unlimited)3EAR99--BOTTOM-R-XBCC-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET89WDRAIN21 nsN-ChannelSWITCHING1.7m Ω @ 32A, 10V2.35V @ 100μA6190pF @ 15V74nC @ 4.5V31ns±20V16 ns32A1.8V20V30V--508μm6.35mm5.0546mm无SVHC无ROHS3 Compliant-e1Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)260A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF6618TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric MT | MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET | 对比 |
![]() | IRF6725MTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric MX | MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET | 对比 |
![]() | STL150N3LLH5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 35A POWERFLAT6X5 | 对比 |





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