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首页 全部分类 IRF6636TRPBF vs PSMN3R2-25YLC,115

IRF6636TRPBF备选型号: PSMN3R2-25YLC,115

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  • ECCN 代码
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  • 端子位置
  • 额定电流
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 源Url状态检查日期
  • Infineon Technologies
    IRF6636TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric ST
    5
    SILICON
    18A Ta 81A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    20V
    BOTTOM
    18A
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5m Ω @ 18A, 10V
    2.45V @ 250μA
    2420pF @ 10V
    27nC @ 4.5V
    19ns
    ±20V
    6.2 ns
    15A
    2.45V
    20V
    20V
    28 mJ
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PSMN3R2-25YLC,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
    -
    -
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    -
    -
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    3.4m Ω @ 25A, 10V
    1.95V @ 1mA
    1781pF @ 12V
    30nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    not_compliant
    4
    25V
    2013-06-14 00:00:00
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